アイドリング電流を絞ると、バイアス電圧が深くなる結果トータルゲインが減少しＮＦＢが浅くなることを 失念していた私は、発熱が少ない方が良いかな〜っとアイドリングを減らして仕上げようとしていました。 そしたら、期待を裏切られる結果に．．．
対比を際立たせるため、このページの測定結果はＷＥＳＴＩＮＧ ＨＯＵＳＥ製の球を使って測定しています。 最終の測定データは松下製の球を使いました。 松下製は若干バイアスが浅く、リニアリティが良いみたい です。一方ＷＥＳＴＩＮＧ ＨＯＵＳＥ製は残留ノイズが低くなりました。
このときのアイドリング電流の設定値は、プレート電流とスクリーングリッド電流を足して１２．５ｍＡ でした（コントロールグリッド電圧は−５．５Ｖ、−５．３Ｖ）。ちなみに仕上げ状態では１８．７５ｍＡ （同じく−４．２Ｖ、−４．１Ｖ）です。両者のゲイン差は無帰還状態で５ｄＢほどあります。同じ帰還定数で ＮＦＢを掛けると帰還量において約３．５ｄＢの差が出ます。
歪率はこれが同じアンプかと疑いたくなるほどの差が出てしまいます。最大出力はこちらの方が大きくなって いますが、ＷＥＳＴＩＮＧ ＨＯＵＳＥ製の球の方が飽和電圧が小さいためではないかと思います。 ちなみにダンピングファクターはＯＮ／０ＦＦ法でＬｃｈが７．２５、Ｒｃｈが７．３０でしたので、倍ほどの 差があります。